報告主題

高性能二維硒化铟場效應晶體管構築中的界面工程

報告日期和時間

2019年3月15日

上午9:30-10:30

報告地點

理化實驗樓806

報告人姓名

馮偉

人才層次

優秀青年學者

所在單位

理學院

報告人簡介

馮偉，男，副教授，硕士研究生导师，于2017年7月在哈尔滨工业大学获得质料物理与化学工学博士学位。主要研究偏向包罗纳米半导体质料与器件、光电质料与器件、柔性电子器件及能源质料与器件等领域的研究。至今在国际著名期刊Advanced Materials, Nano Letters, Advanced Functional Materials等发表SCI论文30余篇，引用次数达1300余次，H因子值为17。主持国家自然科学基金青年基金1项、中国博士后科学基金（一等）1项、黑龙江省博士后特别资助基金1项、中央高校项目基金1项、PP电子大学“優秀青年學者”引进人才启动基金1项。

報告內容簡介

二维半导体质料具有优越的电学、光学和磁学等性能。目前二维半导体质料研究集中于太过金属硫化物和黑磷等。然而太过金属硫化物电子迁移率低、黑磷极其不稳定限制了二者的实际应用前景。二维硒化铟作为一种稳定的、高电子迁移率的新兴质料获得了广泛关注。二维半导体质料电子器件的性能受电极与半导体接触界面和介电层与半导体接触界面的影响较大。本陈诉就高性能二維硒化铟場效應晶體管構築中的界面工程做简要介绍。接待宽大师生加入。

報告其它說明

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